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线性分子摆动光谱Q支相对强度与电场、分子取向度的依赖关系及其应用
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上传时间: 2021-02-23
详细说明：提出了一种测量分子取向度的新方法，即采用极性线性分子的摆动光谱Q 支相对强度来测量分子的取向度。通过计算极性分子HCN-N2电子基态的C—H 伸缩振动在不同电场强度下的摆动光谱，发现其摆动光谱的Q 支强度随着电场强度的增大而逐渐增大，但P支与R 支强度则随着电场强度的增大相应地减小，因此可以利用摆动光谱的Q 支相对强度(即Q 支光谱强度与P,Q,R 支光谱总强度的比值)来表示电场强度的大小。同时，计算了电场强度大小与分子取向度的关系，发现分子取向度随电场强度的增大而逐渐增大。通过进一步计算，给出了分子取向度与其摆动光谱的Q 支相对强度的关系，并提出采用摆动光谱的Q 支相对强度实现分子取向度测量
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