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内部匹配的GaN HEMT器件，在8 GHz时具有45.2W的功率，用于X波段应用
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文件大小: 592kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-23
详细说明：具有高迁移率GaN沟道层结构的优化AlGaN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在2英寸上生长。 MOCVD法制备直径为6H-SiC的半绝缘基板。 2英寸直径GaN HEMT晶片的平均薄层电阻低至261.9Ω/平方，电阻不均匀性低至2.23％。 原子力显微镜测量显示，在5×5μm的扫描区域中，光滑的AlGaN表面的均方根粗糙度为0.281 nm。 对于使用该材料制造的2.5 mm栅宽的单电池HEMT器件，最大漏极电流密度为1.31 A / mm，非本征跨导为450 mS / mm，电流增益截止频率为24 GHz，最大频率实现了54 GHz的振荡。 具有10mm总栅极宽度的四单元内部匹配GaN HEMTs器件在连续波（CW）条件下在8 GHz下表现出45.2 W的极高输出功率，功率附加效率为32.0％，功率为增益为6.2 dB。 据我们所知，内部匹配器件的输出功率是X波段基于GaN的HEMT的最新技术成果。
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