文件名称:
具有高斯远场分布的高功率非均匀线性垂直腔面发射激光器阵列
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文件大小: 675kb
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上传时间: 2021-02-23
详细说明：据报道，具有不均匀线性排列的980 nm底部发射垂直腔表面发射激光器（VCSEL）阵列可实现高斯远场分布的高功率。 该阵列由五个对称排列的元素组成，直径分别为200μm，150μm和100μm，中心间距分别为300μm和250μm。 这种结构使得可以区分更高阶的数组超模式。 远场分布的理论模拟与实验结果吻合良好。 获得的输出功率为880 mW，功率密度为1 KW / cm（2）。 在从0 A到4 A的工作电流范围内，发散角小于20度。对这种非均匀线性阵列和常规二维阵列进行了比较，以证明线性阵列的良好性能。 在短脉冲操作下，以1 kHz的重复频率可获得超过20 W的峰值功率。
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