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980nm大功率垂直腔面发射激光器温度和远场分布特性
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文件大小: 386kb
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上传时间: 2021-02-23
详细说明：采用发射波长为980nm的InGaAs/GaAs应变量子阱,在垂直腔面发射结构中共设计生长3组、每组3个量子阱,形成9个量子阱的周期性增益结构,并使每组均位于腔场极大处,以获得最好的增益匹配。为提高激光器的输出功率及获得较好的光束质量,采用大台面直径和由衬底面出射激光的结构。每个单元器件的P面台面直径为400~600μm,经湿氮气氛下40min的侧氧化后在有源区形成直径300~500μm的电流限制孔。而N面出光孔的直径仍为相应的400~600μm。在室温连续工作下器件的最大输出功率达到1.4W。随着注入电流的增大,观察到激光远场分布从空心圆环向中心单亮斑转化的过程。对不同温度下的激光输出特性进行了变温测试,结果表明通过DBR和有源区结构设计上较好的匹配,实现了室温下最低的激射阈值电流。
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