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GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较
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上传时间: 2021-02-23
详细说明：利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,对激活后的反射式GaN及GaAs光电阴极进行了稳定性测试,获得了Cs/O激活一段时间后阴极随时间变化的光谱响应,通过计算得到量子效率曲线。结果表明:激活结束后GaN灵敏度可以在较长时间内保持稳定,而后缓慢衰减。而GaAs光电阴极的光电流随时间近似呈指数衰减。结合阴极表面双偶极层结构以及表面化学成分,分析原因主要是:两种阴极表面进行Cs/O激活后形成的双偶极子的结构不同、衰减过程中双偶极层化学成分变化方式不同决定。GaN光电阴极激活后Cs以复杂氧化物存在,更加稳定,灵敏度的衰减主要是由未分解的氧引起,而GaAs灵敏度下降的原因主要是表面双偶极层中的Cs极易
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