文件名称:
具有低k介电埋层的新型部分绝缘体上硅高压LDMOS
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文件大小: 1mb
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上传时间: 2021-02-23
详细说明：通过MEDICI提出并研究了一种新型的具有低k（相对介电常数）介电埋层（LK PSOI）的部分绝缘体上硅（PSOI）高压器件及其击穿机理。 在低k值下，电介质掩埋层（EI）中的电场强度增强，并且Si窗口使衬底共享垂直降落，从而导致较高的垂直击穿电压； 在横向方向上，在Si窗口处引入一个高电场峰值，从而调制SOI层中的电场分布。 结果，获得了高击穿电压（BV）。 与传统PSOI相比，在1μm厚的掩埋层上的2μm厚的SOI层上，k（I）= 2的LK PSOI的EI和BV值分别提高了74％和19％。 此外，Si窗也减轻了自热效应。
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