文件名称:
具有三重RESURF结构的新型高压SOI LDMOS
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文件大小: 405kb
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上传时间: 2021-02-23
详细说明：提出了一种新颖的三重RESURF（T-surf）SOI LDMOS结构。 该结构具有P型掩埋层。 首先，耗尽层可以在P埋层的两侧延伸，用作三重RESURF，并导致高漂移掺杂和低导通电阻。 其次，在漂移区的高掺杂浓度下，P层可以减小漂移区中的高体电场，并增强漏极侧的垂直电场，这导致均匀的体电场分布和增强的BV。 所提出的结构首次在SOI设备中使用。 通过模拟在2μm厚的掩埋氧化物层上的6μm厚的SOI层上获得具有BV D 315V的T型表面SOI LDMOS，与双RESURF（相比，其Rsp从16.5减小到13.8mΩcm2（ D-surf）SOI LDMOS。 当SOI层的厚度增加时，T型表面SOI LDMOS对BV 2 / Ron的增强表现出更明显的作用。 与D-resurf结构相比，它在400 V SOI LDMOS中的Rsp降低了25％，在550 V SOI LDMOS中的Rsp降低了38％。 ？ 2011中国电子学会。
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