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施加的电场和静水压力对圆柱形GaN / AlN量子点中施主杂质态的影响
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文件大小: 249kb
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上传时间: 2021-02-23
详细说明：基于有效质量近似和变分程序，考虑了沿生长方向施加的电场和静水压力的影响，研究了圆柱状掺锌GaN / AlN量子点（QD）中的施主杂质态。 数值结果表明，供体的结合能高度依赖于杂质位置，量子尺寸，施加的电场和静水压力。 可以发现，静水压力对量子点中氢杂质的施主结合能具有显着影响，而量子点尺寸小且施加的电场强。 但是，施加的电场明显影响QD尺寸大且静水压力小的QD中的供体结合能。 此外，还详细研究了量子点中外加电场与量子约束之间的竞争效应，这对于理解半导体纳米结构中的杂质态很有帮助。
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