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GaN / AlGaN耦合量子点中的电子和杂质态：电场和静水压力的影响
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文件大小: 319kb
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上传时间: 2021-02-23
详细说明：在有效质量近似的基础上，考虑到电场的综合影响，对位于共混锌（ZB）GaN / AlGaN对称耦合量子点（SCQD）表面的杂质的基态施主结合能进行了变化研究右边（沿着生长方向）和静水压力。 数值结果表明，如果中间势垒宽度较大，则杂质位于左点内，施主结合能对ZB GaN / AlGaN SCQD的中间势垒宽度不敏感。 静水压力增加了任何电场和杂质位置的供体结合能。 此外，静水压力对位于左点内的杂质的供体结合能具有显着影响。 此外，还详细研究了电场与静水压力（电场与量子约束之间）对ZB GaN / AlGaN SCQD中施主杂质态的竞争作用，这对于理解杂质可能非常有趣。半导体纳米结构中的态。
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