文件名称:
具有接口累积Kong的部分SOI高压P沟道LDMOS
开发工具:
文件大小: 1mb
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上传时间: 2021-02-22
详细说明：提出了一种新的具有界面空穴岛（HI）层的局部SOI（绝缘体上硅）（PSOI）高压P沟道LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体），并从理论上研究了其击穿特性。 高浓度的电荷积聚在界面上，其密度随负漏极电压而变化，这会增加电介质掩埋氧化层（BOX）中的电场（E（I）），并调制漂移区中的电场。 这导致击穿电压（BV）的提高。 在1微米厚的埋层上具有2微米厚SOI层的HI PSOI的E（I）和BV值分别为580V /μm和-582 V，而81.5 V /μm常规PSOI的-123V。 此外，Si窗还减轻了自热效应（SHE）。 而且，与常规装置相比，所提出的装置展现出低的导通电阻。
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