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光子学，量子电子学，光学和光谱学072001表面等离激元与InGaN / GaN量子阱耦合作用的机理：增强和抑制光致发光强度
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上传时间: 2021-02-22
详细说明：已经系统地研究了与InGaN / GaN量子阱（QW）耦合的表面等离子体（SP）上的光致发光（PL）强度增强和抑制机理。 比较了在不同温度和激发功率下，涂有银薄膜的GaN盖层区域中的SP-QW耦合行为。 发现发光二极管（LED）的内部量子效率（IQE）随温度和激发功率而变化，这继而导致异常发光增强和与SP-QW耦合有关的抑制趋势。 通过SP的提取效率和LED的IQE之间的平衡来解释该观察结果。
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