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SiGe / Si多层的应变诱导阳极氧化以形成高密度SiGe / Si异质纳米棒
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上传时间: 2021-02-22
详细说明：通过对通过超高真空化学气相沉积法生长的SiGe / Si多层进行电化学阳极氧化，可以制备SiGe / Si异质纳米结构。 已经观察到密度高达〜2×1011 cm-2的纳米棒，其相对均匀的分布已通过扫描电子显微镜的俯视图和横截面图确认。 样品显示出具有多个峰和窄宽度的可见光致发光，这与干涉效应有关。 最后，提出了一个模型来解释应变在SiGe / Si多层阳极氧化过程中的作用。 ？ 2009爱思唯尔有限公司
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