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LaNiO3底部电极对溶胶-凝胶法制备的CaCu3Ti4O12薄膜的结构和介电性能的影响
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文件大小: 243kb
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上传时间: 2021-02-22
详细说明：通过溶胶-凝胶法在LaNiO3涂层的硅和Pt / TiO2 / SiO2 / Si衬底上制备CaCu3Ti4O12（CCTO）薄膜。 与Pt上的薄膜相比，LaNiO3上的CCTO表现出（400）取向。 LaNiO3上CCTO的介电损耗在100 Hz-10 kHz内低于0.25，低于通过脉冲激光沉积在Pt / TiO2 / SiO2 / Si上生长的CCTO的报道值。 可能的原因是LaNiO3充当CCTO生长的种子层。 CCTO的结晶度得到改善，介电性能得到增强。 根据晶界势垒层电容模型，讨论了CCTO在LaNiO3上的复阻抗谱。
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