文件名称:
4H-SiC射频MESFET中陷阱参数的提取方法
开发工具:
文件大小: 144kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-22
详细说明:The small signal equivalent circuit of SiC MESFETs has been studied and the parasitic and intrinsic elements have been extracted with both numerical and analytical methods. The trapping-emission mechanism is discussed in detail. The proposed model is valuable for the optimization of the device desig
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