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低温制备的非晶SiNX薄膜的发光特性和机理。 二。 缺陷状态电致发光
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上传时间: 2021-02-22
详细说明：在本文中，我们对非晶非化学计量氮化硅（SiNX）薄膜进行了室温电致发光（EL）研究。 发光装置由ITO / SiNX / p型硅结构形成。 EL显示出淡黄色的宽发射光谱，功率效率为10（-6）。 EL峰值能量取决于偏置电压，而不取决于SiNX中的硅含量。 通过将电流-电压特性与现有模型进行拟合，我们发现在高电压下，Poole-Frenkel空穴传导是这些器件中的主要载流子传输机制。 注入的电子被硅悬空键（K中心）捕获并与空穴复合，空穴位于价带尾态。 空穴和电子注入的不平衡以及非辐射复合是SiNX EL效率的主要限制因素。
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