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文件名称: 低温合成SiCN纳米结构
  所属分类: 其它
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  文件大小: 933kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2021-02-22
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:氮化硅碳(SiCN)纳米线,纳米棒和纳米管由于其出色的场发射和光致发光特性而备受关注。 这些纳米结构通常使用催化剂在高温(800-1000摄氏度)下生长。 在本文中,报道了在小于500摄氏度的温度下合成SiCN纳米结构。 利用微波等离子体化学气相沉积法合成了多种SiCN纳米结构。 将CH4,H-2和N-2的气体混合物用作前体,并将硅片作为额外的硅源插入到样品架中样品周围对称位置的位置。 金属镓以类似于气液固的机理被用作液体介质。 通过场发射扫描电子显微镜表征所得物的形态。 能量色散光谱法和X射线光电子能谱法用于表征它们的组成和键合状态。
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