文件名称:
Trapping analysis and countermeasure for arsenic auto-doping in 40-nm epitaxial diode arrays and CMOS integration
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文件大小: 1mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-21
详细说明：In this work, a methodology to analyze trapping mechanism of As auto-doping has been presented in the epitaxial.diode array and CMOS integration. With a temperature-pressure optimization in three-step silicon epitaxial.growth being proposed, As trapping mechanism has been revealed and auto-doping ef
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