文件名称:
定拉速生长对300 mm直拉硅单晶生长影响分析
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文件大小: 4mb
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上传时间: 2021-02-21
详细说明：作为集成电路制备的衬底材料，对硅单晶的均匀性以及微缺陷的尺寸、密度要求极高。传统直拉法生长硅单晶过程中，通过拉速变化控制晶体直径，因此拉速始终处于波动状态。恒定拉速对晶体均匀性及缺陷密度、尺寸的影响研究较少。本研究实现了在35±0.7 mm/h的拉速范围内生长出直径300 mm硅单晶，对晶体片间和片内电阻率分布以及FPD缺陷分布进行了检测，结果显示，在更小拉速波动阶段，晶体的电阻率均匀性得到改善，FPD缺陷密度降低。
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