文件名称:
InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管仿真设计
开发工具:
文件大小: 1mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-13
详细说明：设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管（APD），并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。器件采用背入射探测方式。雪崩增益区采用埋层设计，省略了保护环等结构；并使用双层掺杂，有效降低了增益区电场的梯度变化。由于结构简单，因此仅需要利用分子束外延(MBE)生长精确控制每层结构即可。由于InAlAs材料的空穴与电子的离化率有较大的差异，因此器件具有较低的噪声因子。
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