文件名称:
450 nm GaN基半导体激光器腔面反射率的优化
开发工具:
文件大小: 2mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-13
详细说明：分析腔面反射率对GaN基半导体激光器斜率效率和输出功率的影响,并对出射波长为450 nm的激光器进行实验验证。结果表明,对于非对称谐振腔结构,通过优化腔面反射率,可以抑制空间烧孔非线性效应,提高器件的微分量子效率和最大输出功率。当前腔面反射率为5%时,斜率效率大于1.3 W·A
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