文件名称:
刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性
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上传时间: 2021-02-10
详细说明：为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响, 采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AlGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。通过光致发光(PL)特性表征发现,干法刻蚀后量子阱光致发光强度较未刻蚀量子阱光致发光强度提高了近3倍。干法刻蚀后, 量子阱表面呈现高低起伏状形貌, 粗糙度提高, 出射光在起伏状粗糙形貌表面反复散射, 从而逃逸概率增大, 有助于光致发光强度增强。理论计算结果得出表面形貌变化引起的量子阱光致发光强度增强因子约为1.3倍。另外, 由于所采用的感应耦合等离子体功率较小, 刻蚀损伤深度几乎不会达到量子阱阱层, 然而干法刻蚀过程中Ar离子隧穿到量子阱阱层内部可能形成新的发光中心, 从而使量子阱的发光强度得到提高。
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