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上传时间: 2021-02-09
详细说明：极紫外（EUV）投影光刻掩模在斜入射光照明条件下，掩模成像图形位置和成像图形特征尺寸（CD）都将随入射光方向变化，即存在掩模阴影效应。基于一个EUV掩模衍射简化模型实现了掩模阴影效应的理论分析和补偿，得到了掩模（物方）最佳焦面位置和掩模图形尺寸校正量的计算公式。掩模（物方）焦面位置位于多层膜等效面上减小了图形位置偏移；基于理论公式对掩模图形尺寸进行校正，以目标CD为22 nm的线条图形为例，入射光方向变化时成像图形尺寸偏差小于0.3 nm，但当目标CD继续减小时理论公式误差增大，需进一步考虑掩模斜入射时整个成像光瞳内的能量损失和补偿。
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