文件名称:
Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火
开发工具:
文件大小: 5mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-06
详细说明：利用连续Ar+激光对淀积在砷化镓上的Si/Pd进行退火,形成Si/Pd2Si/GaAs(6.9×1017cm-3)接触,得到了比接触电阻率为2.75×10-6Ω·cm2的非合金欧姆接触。经410℃,8小时,形成气中退火后表明:激光退火形成的欧姆接触具有良好的热稳定性。
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