开发工具:
文件大小: 2mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-05
详细说明：使用AlN插入层方法由金属有机化学气相沉积(MOCVD)在GaN上生长的不同Al组分的AlxGa1-xN以及掺Mg Al0.54Ga0.46N。使用阴极荧光的测试方法先后对未掺杂AlxGa1-xN和掺杂Mg的Al0.54Ga0.46N的光学性质进行了研究。研究表明，随着Al组分增大，横向组分分凝对AlGaN发光强度的影响逐渐减小；掺Mg后AlGaN薄膜质量下降，并且Al0.54Ga0.46N中的Mg相关光激发过程主要取决于导带受主对复合发射和施主受主对复合发射。
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
