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上传时间: 2021-02-05
详细说明：研究了宝石(γ-Al2O3)衬底上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统生长的不同厚度的c面氮化镓(GaN)薄膜的光学性质。研究发现不同厚度GaN薄膜的吸收截止边均在3.38 eV附近，在它们的光致发光(PL)光谱中也观察到了相同位置带边峰。利用透射谱和光致发光光谱中的干涉条纹估算了薄膜的厚度，一致地反映了它们产生的机制相似。正面照射下光致发光光谱中未能观察到明显的黄光带，却观察到了明显的蓝光带，并且随着厚度的增加蓝光带的峰位发生蓝移，发光强度增加，认为这一现象产生的原因是厚度增加的同时杂质能级ON的不断引入和镓空位VGa结合而成VGa-ON复合体越来越多，由于ON成分的增多，VGa-ON
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