文件名称:
0.5 μm CMOS带隙基准电路设计
开发工具:
文件大小: 702kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-01
详细说明：依据带隙基准原理，采用华润上华（CSMC）0.5 μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，设计了一种用于总线低电压差分信号（Bus Low Voltage Differential Signal，简称BLVDS）的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比。Hspice仿真结果表明，在电源电压VDD=3.3 V，温度T=25℃时，输出基准电压Vref=1.25 V。在温度范围为-45℃～+85℃时，输出电压的温度系数为20 pm/℃，电源电压的抑制比δ（PSRR）=-58.3 dB 。
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