文件名称:
一种去除化学机械抛光后残留有机物的新方法
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文件大小: 467kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-01-30
详细说明：提出硅片化学机械抛光后表面残留的有机物污染，介绍金刚石膜电化学合成过氧化物的方法与原理。根据有机物易被氧化分解的特性，采用金刚石膜电化学法合成过氧化物，利用过氧化物的氧化性氧化分解硅片化学机械抛光后表面的有机物残留配合特选的表面活性剂，并加超声清洗，物理化学方法结合，从而达到去除有机物污染的目的。实验表明，利用金刚石膜电化学法合成的过氧化物配合特选的表面活性剂作为清洗试剂，加超声进行清洗，能够有效去除硅片化学机械抛光后表面的有机物残留，达到较好的清洗效果。
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