文件名称:
激光辐照固态Al膜制备p型重掺杂4H-SiC
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文件大小: 7mb
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上传时间: 2021-01-27
详细说明：通过激光辐照固态Al膜，制备了一种p型重掺杂4H-SiC，分析了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的影响，验证了不同工艺参数对p型掺杂层表面电学性能的调控作用。结果表明，当Al膜厚度为120 nm，脉冲个数为50时，掺杂试样的最大载流子浓度为6.613×1017 cm-3，最小体电阻率为17.36 Ω·cm，掺杂浓度(粒子数浓度)可达6.6×1019 cm-3。4H-SiC的Al掺杂改性机理为：在紫外激光作用下，Si—C键断裂，Al原子替代Si原子形成p型掺杂层。
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