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上传时间: 2021-01-27
详细说明：一维二氧化硅纳米材料是当前发光材料的研究热点之一，作为高效发光材料的候选材料，需要了解其电子结构参数和光谱数据。选取一维链式结构的(SiO2)10分子为研究对象，在利用密度泛函B3LYP方法得到分子基态构型的基础上，研究外加电场强度对该分子电子结构特性的影响；采用TD-B3LYP方法系统分析了外加电场强度对分子激发特性的影响规律。结果表明：无外加电场时，得到的分子电子结构参数与已有文献值完全吻合；各单元环中Si-O键键长增加或减小与施加电场的方向密切相关；在激发特性方面，分子在240 nm附近出现的吸收峰与已有实验结果相吻合，而得到的强度更强的180 nm吸收峰是少有文献提及的；随外加电场强度
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