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宽I/O标准将推动TSV 3D堆叠性能
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上传时间: 2021-01-20
详细说明:JEDEC在1月为宽I/O移动DRAM发布的标准使用穿透硅通孔(TSV)在三维(3D)集成电路上连接DRAM和逻辑。凭借其512位宽的数据接口,在不增加功耗的前提下,JESD229宽I/O单倍数据速率(SDR)的带宽是低功耗双倍数据速率2(LPDDR2)规范的两倍。
在同构裸片间使用TSV连接的器件已经上市。宽I/O以TSV方式连接异构裸片的技术。
提供同构TSV连接器件的公司有Xilinx(其Virtex-7 2000T现场可编程门阵列,使用TSV连接逻辑和逻辑)、三星(其32GB的寄存器式双列直插内存模块(RDIMM)使用DRAM与DRAM的堆叠。有许多极具说服力的理由支持同构
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