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文件名称: 提供低损耗大功率的MOSFET
  所属分类: 其它
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  文件大小: 141kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2021-01-20
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失,或相当于受控能量的5%。此外,为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可能产生问题。   本例给出了一个更经济的方案,它用一个工作在开关模式的MOSFET晶体管,代替了传统的功率二极管。图1显示了采用一只MOSFET晶体管Q1的整流电路,MOSFET管在on状态下有低的漏-源电阻。电路中,V2代表一个36V的交流电源。负载包括9Ω电阻RL和25 mH线圈L1。当电源正极高于漏极电压负极时,比较
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