文件名称:
漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别
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文件大小: 294kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-01-20
详细说明：从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器（DRAM）设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。 图1. （a） DRAM存储单元；（b）单元晶体管中的栅诱导漏极泄漏电流 （GIDL）；（c）位线接触 （BLC） 与存储节点接触 （SNC） 之间的电介质泄漏；（d） DRAM电容处的电介质泄漏。 DRAM存储单元（图1 （a））在电源关闭时会丢失已存储的数据，因此必须不断刷新。存储单元在数据丢失前可存储数据的时间， 即保留时间，是DRAM的一个关键特性
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