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文件名称: 肖特基二极管的反向恢复过程解析
  所属分类: 其它
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  上传时间: 2021-01-20
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:肖特基二极管以发明人肖特基博士(Schottky)命名。  (Schottky Barrier Diode)是肖特基势垒二极管的缩写。  不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成,肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。  肖特基的两个主要特点,一个是正向导通压降比较低,一般在0.15~0.5V之间,导通压降低可以提高系统的效率。  另一个特点是反向恢复时间短,一般在几个纳秒。  所以肖特基二极管一般用作高频、大电流整流、低压、续流二极管、保护二极管等。  二极管从正向导通到反向截止有一个反向恢复的过程,而不是立即由导通到截止。  对上述的肖特基二极管上加电压。  在0-t1时间内,给二极
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