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上传时间: 2021-01-19
详细说明：由于51的电子空穴离化率之比很高，用它制作的的雪崩二极管噪声低，暗电流小。同时人们对51的特性有很深入的了解且加工工艺成熟，所以51材料被广泛应用于APD结构中，而GaAs则较少使用。图1 所示是一个GaAs/Al.45Ga0.55As多量子阱MQW结构APDn＇］。这种多量子阱结构是为了提高电子或空穴其中一种载流子的电离率，即使ocJα九变得很大或者很小从而降低噪声（α召和‰分别为电子和空穴电离系数）。考虑一个电子在宽带隙的Al0.45Ga0.55As层中被加速，当它进入到窄带隙的GaAs层时，由于导带的不连续性，它将获得LEc＝0.48 cY的能量。这样相当于将GaAs体材料电子的电离能
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