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上传时间: 2021-01-19
详细说明：对于常通型器件，要获得高态反射率大于50％，低态反射率接近为零的器件，量子阱数目需75～100对，为了减 小工作电压，对应较少的量子阱数目，在器件顶部增加DBR可增大器件顶部反射率，2对λ/4光学厚度的A10.1 GaO.9As/AlAs的DBR即可使顶部反射率达到0.5。这样，量子阱数目可取为50，图1和图2分别是常通型器件量子阱 结构和计算的反射谱。
从图2可以看到，虽然830～870 nm波段处于DBR高反射区内，但其反射率却不是对DBR进行单独计算时的反射谱 线，而是出现了一个很深的凹谷，这是由激子吸收和腔模式共同作用造成的。在谐振波长处量子阱吸收区存在较 高的激子吸收，而非对
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