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利用湿式蚀刻工艺提高LED光萃取效率之产能与良率的方法
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上传时间: 2021-01-19
详细说明:近几年来III族氮化物(III-Nitride)高亮度发光二极体(High Brightness Light Emission Diode; HB-LED)深获广大重视,目前广泛应用于交通号志、LCD背光源及各种照明使用上。基本上,GaN LED是以磊晶(Epitaxial)方式生长在蓝宝石基板(Sapphire Substrate)上,由于磊晶GaN与底部蓝宝石基板的晶格常数(Lattice Constant)及热膨胀系数(Coefficient of Thermo Expansion; CTE)相差极大,所以会产生高密度线差排(Thread Dislocation)达108~1010 /
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