文件名称:
嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工是靠什么来完成的
开发工具:
文件大小: 230kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-01-19
详细说明：如今，除了逻辑元件和其他专用电路元件外，典型的微控制器 （MCU） 包括用作工作存储器的 SRAM 和用作储存存储器的闪存。当前业界遇到的闪存问题是，要将浮栅 （FG） 的制造工艺对逻辑门性能的影响降到（图 1）。为此，制造商通常会使用多达 10 个的额外掩膜层，这必然会增加其复杂性和成本。在 《28nm 的节点， 逻辑部分的工艺将迁移到高 k 栅介质/金属栅极（HKMG），由于 HKMG 的热预算有限，将导致工艺集成更为复杂。
一文告诉你嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工是靠什么来完成的？
图 1：带闪存（左）和 STT MRAM（右）的 M
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