文件名称:
基于70 nm GaAs MHEMT单管芯的低噪声放大器设计
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文件大小: 1mb
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上传时间: 2021-01-13
详细说明：设计了一种基于70 nm GaAs MHEMT（变形高电子迁移率晶体管）单管芯的宽带低噪声放大器（LNA），频率覆盖50 MHz到3 GHz。采用负反馈和输入输出匹配技术补偿晶体管增益随频率的滚降，以及优化稳定性和反射系数。所设计的单管芯LNA增益大约为15 dB，噪声系数约为0.77 dB左右。这种基于70 nm GaAs MHEMT单管芯的LNA电路设计具有较高的灵活性，对于工艺验证和灵活快速实现板级LNA具有重要意义。
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