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上传时间: 2021-01-12
详细说明:开关损耗
MOS
开关损耗的组成
开关功耗 PS
对感性负载
通态功耗 PON
断态损耗 POFF 一般忽略
驱动损耗 PGATE 根据不同器件确定
吸收回路的损耗 根据具体的吸收回路及其参数而定
MOSFET 、IGBT等压控器件的驱动 损耗要小于电流型驱动器件
二极管
二极管的损耗在高频下是重要的损耗
一般二级管: trr为1-10微秒,可用于低频整流;
快恢二极管:trr小
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