文件名称:
基于5G通信的硅基IPD滤波器研究与验证
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上传时间: 2021-01-12
详细说明：随着5G通信的逐步发展，系统对于高密度、小体积、低成本提出了更高的要求。硅基集成无源器件（IPD）因其尺寸小、设计工艺与CMOS工艺相兼容，而被广泛应用于系统级封装（SIP）。为提高电容密度，增大电感品质因数，提高整体滤波器的性能，结合硅基薄膜技术、半加成工艺分别制备电容、电感，设计了基于5G通信的双零点电容耦合带通滤波器。该滤波器具有低成本、小尺寸（1.1 mm*0.68 mm）、低带内插损（-1.87 dB4.75 GHz）和较好的带外抑制（零点位置：-48.5 dB2.5 GHz和-34 dB7.7 GHz）等优点。为提高电感Q值，提高电容密度，实现低成本及小型化，制造高性能的IPD器件，提供了一种可实施的制备方案。
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