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四步走克服模拟CMOS两大危害静电及过压
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上传时间: 2021-01-12
详细说明：对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。
静电
由静电荷积累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的静电电压带来的危害可能击穿栅极与衬底之间起绝缘作用的氧化物(或氮化物)薄层。这项危害在正常工作的电路中是很小的，因为栅极受片内齐纳二极管保护，它可使电荷损耗至安全水平。
然而，在插人插座时，CMOS器件与插座之间可能存在大量静电荷。如果插人插座的个引脚恰巧没有连接齐纳二极管保护电路，栅极上的电荷会穿过氧化层释放而损坏器件。
以下四步有助于防止器件在系统装配阶段受损：
将
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