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原位低温退火制备的嵌入超晶格中的Ge纳米晶体的结构，力学和光学性质
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上传时间: 2021-03-31
详细说明：通过原位低温退火制备了嵌入SiO2超晶格的Ge纳米晶体（Ge-ncs）。 通过拉曼散射，X射线衍射和透射电子显微镜测量证明了尺寸受控的纳米晶体的形成。 由于较低的退火温度，在原位生长的Ge-ncs中观察到核-壳结构。 原位退火过程在超晶格中也产生了显着的压应力，计算结果表明，对于平均尺寸为7.1 nm的纳米晶体，由压应力引起的静水压力约为2.55 GPa。 随着微晶尺寸的减小，原位生长的超晶格的光吸收边缘移至较低的波长。 Ge-ncs的存在增强了短波长下的膜吸收，并且发现在包含较大纳米晶体的超晶格中吸收系数增加。 超晶格显示出的光学带隙能量大于块状Ge，并且随着微晶尺寸的减小，能量出现蓝移。 这些特征通过Ge-ncs中的量子限制效应进行了初步解释。 我们的结果表明，原位低温生长的Ge-ncs和超晶格是在低成本衬底上制造纳米级器件的有希望的候选者。
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