文件名称:
10kV垂直双扩散绝缘栅型光电导开关结构设计
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文件大小: 672kb
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上传时间: 2021-03-30
详细说明：漏电流问题限制了传统半绝缘氮化镓光电导开关的高压应用。本文提出在半绝缘GaN∶Fe衬底（激光触发区）上增加n型外延层并在其中构造垂直双扩散场效应晶体管元胞阵列（电触发区），即在传统纵向光电导开关结构上引入了一个由栅压控制的反向pn结，利用空间电荷区对载流子的耗尽作用降低半绝缘材料漏电流。其器件建模仿真显示，电、光触发区能合理分担10 kV外加偏置电压，器件漏电流低于相同电场偏置强度下的传统光电导开关两个数量级，而且在绝缘栅开通过程中电触发区偏压能快速转移到光触发区，使光触发区在更高的动态偏置电场下被激光脉冲触发，提高了激光能量利用率。此外，激光参数与器件输出特性之间的关系被计算分析，以进一步提高激光利用率。
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