文件名称:
氧化钨纳米线/多Kong硅复合材料的合成及其在NO“ 2传感器中的应用
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文件大小: 2mb
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上传时间: 2021-03-28
详细说明：通过钨薄膜的热退火直接在多Kong硅（PS）上生长了直径为20–30 nm且长度为1-2μm的氧化钨（WO3）纳米线。 通过场发射，电子显微镜检查和X射线衍射研究了获得的WO3纳米线/ PS复合材料。 退火温度对产品的形貌有很大影响，最佳退火温度为700 1C。 此外，还研究了WO3纳米线/ PS复合材料的NO2传感特性。发现基于WO3纳米线/ PS复合材料的传感器在150°C的较低工作温度下对NO2有良好的响应和选择性。 最低的NO2浓度为250ppb。新颖的WO3纳米线/ PS复合材料改善了感测性能，对未来的应用具有重要意义。
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