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具有不同量子阱排列的InGaN基双波长发光二极管的发光特性
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文件大小: 904kb
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上传时间: 2021-03-27
详细说明：通过数值研究了优化的基于双波长InGaN的垂直发光二极管（LED）结构。 模拟。 结果表明，在有源区中不同的量子阱排列起着重要的作用。 获得双波长发射。 通过布置是获得均匀强度的双波长的更好方法在p侧附近具有低铟含量的量子阱（QW）在n侧附近具有高铟含量的量子阱。 这是因为在p侧层附近具有较低铟含量的QW具有较高的空穴注入效率。 另一方面，安排QW 在p侧附近具有高铟含量的硅由于高极化场而导致差的空穴注入效率。 这这些现象的物理和光学机理可以通过静电场的强度，能带来解释图，以及LED的有源区域中的载流子浓度分布。
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