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上传时间: 2021-03-24
详细说明：异质结电池一般是以 N 型硅片为衬底，在正面依次本征富氢非晶硅薄膜和 N 型非晶硅 薄膜，然后在背面依次沉积本征非晶硅薄膜和 P 型非晶硅薄膜。在非晶硅薄膜两侧再沉 积 80-100nm 的透明导电氧化物薄膜 TCO，最后通过丝网印刷在两侧制备金属电极， 再烧结退火，这样就制成了异质结电池。 传统异质结电池以 P 层为入光面，近年来业内普遍改为 N 型作入光面，在电池结构上 形成 TCO-N-i-N-i-P-TCO 对称结构。异质结电池能否以 P 型硅片作衬底？理论上可以，但实际生产中普遍使用 N 型硅片： P 型硅片少子寿命低，输出性能弱于 N 型。 P 型硅片能带匹配度不如 N 型。 N
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