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通过羟基边缘官能化调节曲折形石墨烯纳米带的磁分裂
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上传时间: 2021-03-20
详细说明：电子 特性 字形的相对稳定性 石墨烯 纳米带 通过使用第一原理计算通过改变用于边缘饱和的羟基自由基的百分比来研究。之字形的钝化结构 石墨烯 纳米带 有自旋极化 基态 带反铁磁 跨边缘交换耦合和 铁磁 沿边缘耦合。当边缘被羟基特别钝化时，跨越两个边缘的自旋交换相互作用的电势相应地移动，从而形成自旋半导体。改变羟基的浓度可以改变最大磁化分裂。当不对称吸附的羟基的百分比达到50％时，由于整个电极上的不对称电位，磁化分裂值可达到275 meV。 纳米带边缘。这些结果将有利于 自旋电子器件 之字形的应用程序 石墨烯纳米带。
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