文件名称:
从头开始研究二维碳化硅的电子和光学行为
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文件大小: 653kb
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上传时间: 2021-03-20
详细说明：二维石墨烯状碳化硅（2d-SiC）已作为一种引人入胜的新型层状纳米结构出现。利用密度泛函理论，研究了2d-SiC纳米片，尤其是单层和双层2d-SiC的关键电子和光学性能。发现这些纳米片的性质高度依赖于它们的物理厚度和几何构型。多层2d-SiC表现出间接带隙。另一方面，我们发现单层2d-SiC具有可通过面内应变进行调节的直接带隙（类似于2.5 eV）。我们还表明，多层2d-SiC的光导率对层间间距敏感。结果表明，与石墨烯，硅烯甚至多层2d-SiC不同，单层2d-SiC可能是光电器件（例如发光二极管）的良好候选者。
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