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文件名称: 带有方形圆阳极的AlGaInP micro-LED阵列的理论和实验分析
  所属分类: 其它
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  文件大小: 2mb
  下载次数: 0
  上传时间: 2021-03-20
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:设计并制造了基于AlGaInP外延晶片的320×240微发光二极管(micro-LED)阵列,其单位尺寸为100μm×100μm。基于每个LED的完全隔离与发光面积的最大化之间的折衷来确定相邻发光单元之间的隔离凹槽的最佳宽度,并且发现为20μm。凹槽填充有混合的Si颗粒-聚氨酯复合介质,因为这种类型的绝缘材料可以将每个发光单元中从侧壁发射的光的一部分反射到窗口层,从而可以提高光输出效率。宽10μm的方形阳极设计用于在增加发光面积的同时,又易于制造。使用的器件电流在0.42–1.06 mA范围内,以确保内部量子效率超过85%,相应的电压范围为2–2.3V。在2.2的驱动电压下模拟单个单元中的分层温度分布V,最高器件温度为341K。此处介绍了基于微光机电系统(MOEMS)技术的制造Craft.io,器件的实验图像和器件测试结果。 C 2014作者。除另有说明外,所有文章内容均根据知识共享署名3.0未移植许可进行许可
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