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上传时间: 2021-03-20
详细说明：在本文中，已经基于一维设备物理模拟器（微电子和光子结构分析）对CuInS2太阳能电池进行了数值模拟。已对具有典型结构Al / ZnO：Al / n-CdS / p-CuInS2 / Mo的太阳能电池进行了建模。已经研究了影响电池性能的各种因素，例如CuInS2吸收层的厚度和带隙以及CdS缓冲层的厚度。光伏参数由电流密度-电压曲线确定。电池的太阳光谱响应和复合机理分别由量子效率-λ曲线和净复合率-位置曲线表示。在这项研究中，带隙为1.40的CuInS2太阳能电池的开路电压为0.94V，短路电流密度为26.2mA / cm（2），填充系数为0.84，模拟效率为20.4％。 eV。发现CuInS 2吸收层和CdS缓冲层的最佳厚度分别为约2000nm和50nm，而CuInS 2吸收层的最佳带隙为1.40eV。
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